Отличительные особенности:
- N-канальная гомогенная кремниевая структура (NPT IGBT, непробиваемый биполярный транзистор с изолированным затвором)
- Малый хвостовой ток с малой температурной зависимостью
- Высокая стойкость к короткому замыканию, самоограничение при закорачивании затвора с эмиттером
- Положительный температурный коэффициент VCEsat (напряжение коллектор-эмиттер в насыщении)
- Очень малые емкости Cies, Coes, Cres
- Исключено защелкивание
- Быстродействующие диоды, выполненные по запатентованной технологии CAL (управляемый осевой ресурс), с плавным восстановлением
- Изолированная медная базовая пластина, выполненная с использованием технологии DBC (непосредственное медное соединение) без жесткой формовки
- Большой зазор (10 мм) и путь утечки (20 мм)
Области применения:
- Коммутация (не для линейных цепей)
- Импульсные источники питания
- Источники бесперебойного питания
- Трехфазные инверторы для регулирования скорости в электроприводах
- Прочие приложения с частотами импульсов свыше 10 кГц
Предельно-допустимые характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) | ||||
Обозначение | Наименование | Условия снятия характеристики | Значение | Единица измерения |
IGBT-транзистор | ||||
VCES | напряжение коллектор-эмиттер при замкнутом затворе с эмиттером | 600 | В | |
IC | ток коллектора | Tc = 25 (75) °C | 130 (100) | А |
ICRM | повторяющийся максимальный ток коллектора | tимп = 1 мс | 200 | А |
VGES | напряжение затвор-эмиттер при замкнутом коллекторе с эмиттером | ± 20 | В | |
Tvj, (Tstg) | эффективная температура р-n-перехода (температура хранения) | Tрабочая <= Tstg | - 40 ... + (150) 200 | °C |
VISOL | напряжение испытания изоляции | переменное напряжение, 1 минута | 2500 | В |
Обратный диод | ||||
IF | прямой ток | Tc = 25 (80) °C | 100 (75) | A |
IFRM | максимальный повторяющийся прямой ток | tимп = 1 мс | 200 | A |
IFSM | прямой ток перегрузки | tимп = 10 мс; синусоидальная форма; Tj = 150 °C | 720 | A |
Рабочие характеристики (если не указано прочее значение, то полагается Tc = 25 °C) | ||||||
Обозначение | Наименование | Условия снятия характеристики | мин. | ном. | макс. | Единица измерения |
IGBT-транзистор | ||||||
VGE(th) | пороговое напряжение затвор-эмиттер | VGE = VCE, IC = 1 мА | 4,5 | 5,5 | 6,5 | В |
ICES | коллекторно-эмиттерный ток отсечки при соединении затвора с эмиттером | VGE = 0, VCE = VCES, Tj = 25 (125) °C | 0,1 | 0,3 | мА | |
VCE(TO) | постоянное пороговое напряжение коллектор-эмиттер | Tj = 25 (125) °C | 1,05 (1) | В | ||
rCE | дифференциальное сопротивление открытого канала | VGE = 15 V, Tj = 25 (125) °C | 10,5 (14) | мОм | ||
VCE(sat) | напряжение коллектор-эмиттер насыщения | ICnom = 100 A, VGE = 15В, на уровне кристалла | 2,1 (2,4) | 2,5 (2,8) | В | |
Cies | входная емкость | при следующих условиях: VGE = 0, VCE = 25 В, f = 1 МГц | 5,6 | нФ | ||
Coes | выходная емкость | 0,6 | нФ | |||
Cres | обратная переходная емкость | 0,4 | нФ | |||
LCE | паразитная индуктивность коллектора-эмиттера | 30 | нГн | |||
RCC'+EE' | суммарное переходное сопротивление выводов коллектора и эмиттера | температура выводов полупроводника Tc = 25 (125) °C | 0,75 (1) | мОм | ||
td(on) | длительность задержки включения | VCC = 300 В, ICnom = 100 A | 50 | нс | ||
tr | время нарастания | RGon = RGoff = 15 Ом, Tj = 125 °C | 40 | нс | ||
td(off) | длительность задержки выключения | VGE = ± 15В | 300 | нс | ||
tf | время спада | 35 | нс | |||
Eon (Eoff) | рассеиваемая энергия в процессе включения (выключения) | 4 (3) | мДж | |||
Обратный диод | ||||||
VF = VEC | постоянное прямое напряжение, равное напряжению на эмиттере-коллекторе | IFnom = 100 A; VGE = 0В; Tj = 25 (125) °C | 1,55 (1,55) | 1,9 | В | |
V(TO) | пороговое напряжение | Tj = 125 () °C | 0,9 | В | ||
rT | дифференциальное сопротивление | Tj = 125 () °C | 8 | 10 | мОм | |
IRRM | максимальный ток обратного восстановления | IFnom = 100 A; Tj = 125 ( ) °C | 44 | A | ||
Qrr | заряд восстановления | di/dt = A/мкс | 6 | мкКл | ||
Err | рассеиваемая энергия в процессе переключения диода на обратное напряжение | VGE = 0В | мДж | |||
Тепловые характеристики | ||||||
Rth(j-c) | тепловое сопротивление переход-корпус | для IGBT | 0,27 | K/Вт | ||
Rth(j-c)D | тепловое сопротивление переход-корпус | для обратного диода | 0,6 | K/Вт | ||
Rth(c-s) | тепловое сопротивление переход-корпус | для модуля | 0,05 | K/Вт | ||
Механические данные | ||||||
Ms | монтажный вращающий момент | для крепления теплоотвода с резьбой M6 | 3 | 5 | Н · м | |
Mt | монтажный вращающий момент | для выводов с резьбой M5 | 2,5 | 5 | Н · м | |
w | масса | 160 | грамм |
- IC - ток коллектора;
- VGE - напряжение затвор-эмиттер;
- VCE - напряжение коллектор-эмиттер;
- Tj - температура перехода;
- ICnom - номинальный ток коллектора;
- VCC - напряжение питания коллектора-эмиттера;
- RGon (RGoff)- внешнее последовательное сопротивление с затвором во время включения (выключения);
- IFnom - номинальный прямой ток.