| Производитель | Mitsubishi |
| Максимальное напряжение к-э, В | 1200 |
| Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В | 1.8 |
| Номинальный ток одиночного транзистора, А | 150 |
| Структура модуля | полумост |
| Тип силового модуля | Сборка на IGBT транзисторах |
| Максимальная частота модуляции, кГц | 20 |
| Входная емкость затвора, нФ | 59 |
| Драйвер управления | внешний |
| Защита по току | нет |
| Защита от короткого замыкания | нет |
| Защита от перегрева | нет |
| Защита от пониженного напряжения питания | нет |
| Максимальная рассеиваемая мощность, Вт | 600 |
| Максимальный ток эмиттера, А | 300 |
| Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер, В | 6 |
| Напряжение эмиттер-коллектор, В | 1.9 |
| Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке, нс | 80 |
| Напряжение изоляции, В | 2500 |
IGBT модуль CM150DU-24F
Наличие: Под заказ
2 IGBT RTC 1200V 150A 4-gen (F-Series)
Цену уточняйте у менеджера
с учетом НДС
Не работаем
с физическими лицами