cart0

Работаем только с Юр. лицами и ИП.
Безналичный расчёт.
Минимальная сумма заказа: 1000 руб.

IGBT модуль CM200DY-24H

Наличие: Под заказ

Сборка из двух IGBT транзисторов включенные в полумост 1200V 200A 3-gen (H-Series)

Цену уточняйте у менеджера

с учетом НДС

Не работаем
с физическими лицами

Описание / Характеристики

Максимальное напряжение к-э, В 1200
Напряжение насыщения коллектор-эмиттер, В 2.5
Номинальный ток одиночного транзистора, А 200
Структура модуля полумост
Тип силового модуля Сборка на IGBT транзисторах
Максимальная частота модуляции, кГц 25
Входная емкость затвора, нФ 40
Мощность привода, кВт -
Драйвер управления внешний
Защита по току нет
Защита от короткого замыкания нет
Защита от перегрева нет
Защита от пониженного напряжения питания нет
Максимальная рассеиваемая мощность, Вт 1500
Максимальный ток эмиттера, А 400
Максимально допустимое напряжение затвор-эмиттер (-/ ), В 20
Напряжение эмиттер-коллектор, В 3.4
Время нарастания импульса тока к-э на индуктивной нагрузке, нс 400
Напряжение изоляции, В 2500
Температурный диапазон, С -40...150
Производитель Mitsubishi Electric Semiconductor